1mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

Produktöversikt-1mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

1 mm InGaAs PIN-fotodiod (Model BPD-1STO46B-FW) från Box Optronics är en högpresterande InGaAs-fotodetektor designad för nära-infraröd (NIR) detektionstillämpningar. Med en PIN-diodstruktur omvandlar den infallande optisk effekt i våglängdsområdet 900–1650 nm till en proportionell fotoström med hög linjäritet och känslighet. Har ett aktivt område med en diameter på 1 mm. Förpackad i en hermetisk TO46 metallburk med ett platt optiskt fönster, är fotodioden mekaniskt robust, vilket säkerställer stabil prestanda under krävande industri- och laboratorieförhållanden. Dessa attribut gör det till ett utmärkt val för optisk effektövervakning, fiberoptisk testmätning, laserdetektering och NIR-spektroskopi.

Nyckelfunktioner-1 mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

• Diameter av det aktiva området: 1 mm för effektiv ljusinsamling

• Brett spektralt svarsområde: 900nm till 1650nm

• Hög responsivitet: 0,9A/W typiskt vid 1310nm, 0,95A/W vid 1550nm

• Ultralåg mörkström, låg korsningskapacitans

• Hög tillförlitlighet och långsiktig stabilitet

• Hermetisk TO46 metallpaket med platt fönster

• Standard TO-CAN-konfiguration för enkel montering

Typiska applikationer-1 mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

• Optiska effektmätare och optiska effektövervakningsmoduler

• Fiberoptisk test- och mätutrustning

• Optisk signaldetektering och effektövervakning i telekomsystem

• Närinfraröd (NIR) spektroskopi och analysinstrument

• System för övervakning och kontroll av lasereffekt

• Kalibrering och karakterisering av optisk dämpare

• Forskning och utveckling i fotoniklaboratorier

• Optisk modulintegrering och utveckling av fotoniska delsystem

Tekniska specifikationer-1mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

Absoluta maxvärden (TC = 25°C)

Elektrooptiska egenskaper (TC = 25°C)

Produktinformation-1mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

Vad är en InGaAs PIN-fotodiod?

En InGaAs PIN-fotodiod är en högkänslig halvledardetektor designad för nära-infraröd (NIR) optisk detektering. Baserat på en P-I-N-halvledarstruktur omvandlar den infallande fotoner till fotoström med utmärkt linjäritet och stabilitet.

InGaAs-fotodioder fungerar från 900nm till 1700nm och ger hög responsivitet över de optiska kommunikationsbanden och SWIR-regionen, vilket gör dem lämpliga för fiberoptisk testning, optisk effektövervakning, spektroskopi och avkänningstillämpningar.

Det aktiva området på 1 mm erbjuder förbättrad ljusuppsamlingsförmåga och förbättrad kopplingstolerans, vilket ger en utmärkt balans mellan känslighet, inriktningsflexibilitet och detekteringshastighet.

Prestandahöjdpunkter-1 mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

• Hög responsivitet och kvanteffektivitet

• Ultralåg mörk ström

• Låg kapacitans och snabb respons

• Bred spektral täckning

• Hermetiskt TO46-paket

Paketmått och stiftdefinition-1 mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

Pakettyp: TO46 hermetisk metallburk, platt fönster (TO-CAN 3-stift)

Burkdiameter: φ5,4 ± 0,2 mm (yttre), φ4,7 ± 0,1 mm (inre)

Fönsterdiameter:φ3,9 ± 0,1 mm

Stiftkonfiguration (bottenvy): stift 1 = anod (P-sida), stift 2 = hölje (GND), stift 3 = katod (N-sida)

Beställningsinformation

Modellnomenklatur

BPD - X X TILL XX - X - X

Exempel: BPD-1STO46B-FW

Datablad-1mm InGaAs PIN Fotodiod TO46

Datablad

Ledtid

• Standardenheter (modeller i lager): 3~5 arbetsdagar

• Standardproduktion: 10~15 arbetsdagar

• Volymbeställningar: Vänligen kontakta för produktionsschema

• Internationell frakt: ~5 arbetsdagar (DHL/UPS/FedEx express)

• Snabbtjänst: Tillgänglig på begäran

Användningsinformation och hantering-1 mm InGaAs PIN-fotodiod TO46

• Fotodioder är enheter som är känsliga för elektrostatisk urladdning (ESD) – använd alltid rätt ESD-skydd

• Undvik att röra elektroderna direkt med bara fingrar för att förhindra kontaminering och ESD-skador

• Förvara oanvända enheter i ESD-säker förpackning eller ledande brickor för att förhindra skador på elektrostatisk urladdning